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FQPF6N90C - Mosfet canal N

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Descripción

El FQPF6N90C es un MOSFET de canal N diseñado para altos voltajes, muy utilizado en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), cargadores, inversores, balastros electrónicos y equipos de potencia en red eléctrica. Su combinación de 900V de capacidad y eficiencia en conmutación lo hace ideal para aplicaciones industriales y de consumo que requieren confiabilidad y bajo consumo en reposo.

Características principales:

 

  • MOSFET de canal N de alta tensión.

  • Voltaje drenaje–fuente (Vds): 900V.

  • Corriente de drenaje continua (Id): 6A.

  • Resistencia Rds(on): ~1,4 Ω.

  • Baja carga de compuerta (Qg) para conmutación más rápida.

  • Encapsulado TO-220F (aislado) → mayor seguridad eléctrica.

  • Ideal para fuentes conmutadas, inversores, balastros electrónicos y equipos de línea AC.