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2SK2611 - Mosfet canal N

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Descripción

El 2SK2611 es un MOSFET de canal N de alta tensión, diseñado principalmente para aplicaciones en fuentes conmutadas, balastros electrónicos, inversores y equipos de consumo que requieren confiabilidad a alto voltaje. Su construcción le permite manejar hasta 900V, siendo adecuado para el sector industrial y electrónico de potencia.

Características principales:

 

  • MOSFET de canal N de alta tensión.

  • Voltaje drenaje–fuente (Vds): 900V.

  • Corriente de drenaje continua (Id): 5A.

  • Resistencia Rds(on): ~1,6 Ω.

  • Alta velocidad de conmutación.

  • Encapsulado TO-3P para montaje sencillo y buena disipación.

  • Usado en fuentes conmutadas, balastros, inversores y circuitos de potencia en AC.